Micron Mulai Mengirimkan Sampel Memori HBM4 dengan Bandwidth 2TB/s dan Peningkatan Performa 60%

BigGo Editorial Team
Micron Mulai Mengirimkan Sampel Memori HBM4 dengan Bandwidth 2TB/s dan Peningkatan Performa 60%

Raksasa memori Micron telah mencapai tonggak penting dalam pengembangan perangkat keras AI generasi berikutnya dengan mulai mengirimkan sampel memori HBM4 kepada pelanggan kunci. Ini menandai sampling resmi pertama teknologi HBM4 di industri, menempatkan Micron unggul dari pesaing Samsung dan SK Hynix dalam perlombaan menghadirkan solusi memori canggih untuk aplikasi kecerdasan buatan dan komputasi performa tinggi.

Platform Pelanggan Utama

  • NVIDIA: GPU datacenter Vera Rubin (diperkirakan akhir 2026)
  • AMD: Prosesor server Instinct MI400
  • Posisi Pasar: Perusahaan pertama yang secara resmi melakukan sampling HBM4
  • Pesaing: Samsung dan SK Hynix diperkirakan akan menyusul

Lompatan Performa Revolusioner

Modul memori HBM4 yang baru menghadirkan peningkatan performa luar biasa dibandingkan pendahulunya. Setiap modul 36GB mencapai bandwidth melebihi 2TB/s melalui antarmuka 2048-bit, mewakili peningkatan performa substansial sebesar 60% dibandingkan memori generasi sebelumnya HBM3E. Peningkatan dramatis ini berasal dari tingkat transfer data modul sekitar 7,85 GT/s, yang secara signifikan meningkatkan kemampuan memori dalam menyuplai prosesor AI yang haus data.

Perbandingan Performa HBM4 vs HBM3E

Spesifikasi HBM4 HBM3E
Kapasitas 36GB Hingga 36GB
Lebar Interface 2048-bit 1024-bit
Kecepatan Transfer Data ~7.85 GT/s Hingga 9.2 GT/s
Bandwidth Puncak >2TB/s Hingga 1.2TB/s
Peningkatan Performa +60% dibanding HBM3E -
Efisiensi Daya Peningkatan +20% -

Manufaktur Canggih dan Efisiensi

HBM4 Micron memanfaatkan teknologi proses DRAM 1-beta perusahaan yang telah terbukti dikombinasikan dengan kemasan canggih 12-tinggi yang canggih. Rakitan memori menggunakan perangkat DRAM 24GB yang diproduksi pada proses 1ß Micron, sementara die basis logika diproduksi oleh TSMC menggunakan teknologi proses logika 12FFC+ kelas 2nm atau N5 kelas 5nm. Selain performa mentah, modul HBM4 menghadirkan keuntungan efisiensi daya yang mengesankan, mengurangi konsumsi daya dalam sistem AI skala besar lebih dari 20% dibandingkan solusi saat ini.

Spesifikasi Teknis Utama

  • Konfigurasi Memori: Desain bertumpuk 12-High
  • Proses Manufaktur: Proses DRAM Micron 1ß (1-beta)
  • Logic Dies: TSMC 12FFC+ (kelas 2nm) atau N5 (kelas 5nm)
  • Fitur Khusus: Memory Built-In Self-Test (MBIST)
  • Aplikasi Target: Prosesor AI dan HPC
  • Produksi Volume: Diperkirakan tahun 2026

Integrasi Pelanggan Strategis

Waktu sampling HBM4 Micron sejalan secara strategis dengan siklus pengembangan pelanggan utama. GPU datacenter Vera Rubin NVIDIA yang akan datang diperkirakan menjadi salah satu produk pertama yang mengadopsi teknologi HBM4 ketika diluncurkan pada akhir 2026. Prosesor server Instinct MI400 AMD juga mewakili target integrasi kunci lainnya untuk teknologi memori baru ini. Micron telah memasukkan fitur uji mandiri bawaan memori untuk menyederhanakan proses integrasi bagi mitra yang mengembangkan platform AI generasi berikutnya.

Kepemimpinan Pasar dan Prospek Masa Depan

Sebagai perusahaan pertama yang secara resmi memulai sampling HBM4, Micron telah membangun keunggulan kompetitif di pasar memori AI yang berkembang pesat. Perusahaan berencana memulai produksi volume HBM4 pada tahun 2026, bersamaan dengan ketika pengembang prosesor AI terkemuka memulai produksi massal chip generasi berikutnya mereka. Timeline terkoordinasi ini memastikan integrasi yang mulus dan peningkatan volume yang efisien di seluruh ekosistem perangkat keras AI, mendukung ekspansi berkelanjutan aplikasi kecerdasan buatan di berbagai industri.