Teknologi memori revolusioner yang menjanjikan kombinasi fitur terbaik dari penyimpanan DRAM dan NAND telah mengambil langkah signifikan menuju realitas komersial. Setelah bertahun-tahun pengembangan di laboratorium universitas, UltraRAM telah berhasil bertransisi ke proses manufaktur skala industri, menandai tonggak penting dalam perjalanan dari konsep penelitian menuju produk siap pasar.
 |
|---|
| Ilustrasi teknologi UltraRAM yang menyoroti fungsi dan keunggulannya dalam penyimpanan memori |
Pengembangan Proses Industri Selesai
Quinas Technology , perusahaan yang mengomersialisasikan UltraRAM , telah berhasil berkolaborasi dengan produsen wafer canggih IQE plc untuk mengembangkan proses epitaksi yang dapat diskalakan untuk produksi volume. Kemitraan selama setahun ini telah menghasilkan apa yang diklaim perusahaan sebagai proses industri pertama di dunia menggunakan epitaksi gallium antimonide dan aluminum antimonide. Terobosan ini memungkinkan pertumbuhan lapisan semikonduktor senyawa yang presisi pada substrat kristal, yang kemudian diproses menggunakan teknik manufaktur semikonduktor konvensional seperti fotolitografi dan etsa.
Detail Proses Manufaktur
- Material: Epitaksi gallium antimonida dan aluminum antimonida
- Proses: Pertumbuhan lapisan semikonduktor senyawa pada substrat kristal
- Langkah Tambahan: Fotolitografi dan etsa untuk pembuatan struktur chip
- Kolaborasi: Kemitraan antara Quinas Technology dan IQE plc
- Timeline: Proyek pengembangan satu tahun selesai pada 2024
 |
|---|
| Kehadiran global dan operasi IQE yang mendukung manufaktur teknologi UltraRAM yang dapat diskalakan |
Klaim Performa dan Keunggulan Teknis
Daya tarik UltraRAM terletak pada spesifikasi performa ambisius yang bertujuan menghilangkan trade-off tradisional antara kecepatan, daya tahan, dan retensi data. Teknologi ini menjanjikan kecepatan akses seperti DRAM sambil mempertahankan kemampuan penyimpanan non-volatil hingga 1.000 tahun. Yang paling mengesankan, teknologi ini menawarkan daya tahan 4.000 kali lebih baik dari memori flash NAND, dengan pengujian prototipe menunjukkan lebih dari 10 juta siklus program dan hapus. Memori ini juga membanggakan konsumsi daya ultra-rendah dengan kebutuhan energi switching kurang dari satu femtojoule.
Spesifikasi Performa UltraRAM
| Fitur | Spesifikasi |
|---|---|
| Kecepatan Akses | Performa seperti DRAM |
| Retensi Data | Hingga 1.000 tahun |
| Daya Tahan | 4.000x lebih baik dari NAND flash |
| Siklus Program/Hapus | >10 juta siklus |
| Konsumsi Daya | <1 femtojoule energi switching |
| Teknologi | Proses kuantum resonant tunneling |
 |
|---|
| Analisis perbandingan yang menunjukkan efisiensi superior UltraRAM terhadap teknologi memori DRAM dan Flash |
Inovasi Mekanika Kuantum
Inti dari fungsi UltraRAM adalah proses mekanika kuantum yang disebut resonant tunneling, menjadikannya teknologi memori pertama yang memanfaatkan fenomena ini untuk penyimpanan data. Pendekatan yang dipatenkan ini merepresentasikan penyimpangan fundamental dari arsitektur memori konvensional dan berpotensi merevolusi cara data disimpan dan diakses dalam sistem komputasi.
Jalur Menuju Produksi Komersial
Keberhasilan pengembangan proses manufaktur yang dapat diskalakan merepresentasikan titik balik bagi upaya komersialisasi UltraRAM . CEO Quinas James Ashforth-Pook menggambarkan pencapaian ini sebagai momen penting dalam transisi dari penelitian universitas ke produk memori komersial. Perusahaan kini bekerja dengan foundry dan kolaborator strategis untuk membangun kemampuan produksi pilot, membawa teknologi lebih dekat ke ketersediaan pasar.
Konteks Pasar dan Kompetisi
Pencarian memori universal yang menggabungkan kemampuan RAM dan penyimpanan telah menarik perhatian industri yang signifikan selama bertahun-tahun. Perusahaan teknologi besar termasuk Intel dan Samsung telah mencoba pendekatan serupa dengan berbagai tingkat keberhasilan. Intel menghentikan platform Optane pada tahun 2022, sementara Samsung terus mengembangkan produk Z-NAND . Sementara itu, kompetitor seperti Kioxia dan Western Digital telah menciptakan teknologi XL-FLASH , yang baru-baru ini menunjukkan metrik performa mengesankan termasuk 3,5 juta random read IOPS dalam implementasi SSD PCIe 5.0 .
Teknologi Memori Kompetitif
| Teknologi | Perusahaan | Status | Fitur Utama |
|---|---|---|---|
| UltraRAM | Quinas | Fase produksi pilot | Retensi 1.000 tahun, terowongan kuantum |
| Optane | Intel | Dihentikan 2022 | Non-volatile, kecepatan tinggi |
| Z-NAND | Samsung | Pengembangan aktif | Performa flash yang ditingkatkan |
| XL-FLASH | Kioxia/WD | Ketersediaan komersial | 3,5M random read IOPS |
Prospek Masa Depan dan Tantangan
Meskipun terobosan manufaktur merepresentasikan kemajuan signifikan, UltraRAM masih menghadapi tantangan membuktikan viabilitas komersialnya dalam skala besar. Teknologi ini harus berhasil menavigasi fase produksi pilot dan menunjukkan manufaktur yang cost-effective sebelum dapat bersaing dengan teknologi memori yang sudah mapan. Namun, upaya investasi dan pengembangan yang berkelanjutan menunjukkan bahwa industri tetap berkomitmen untuk mencapai tujuan yang telah lama dicari yaitu memori universal yang menghilangkan kompromi tradisional antara performa, ketahanan, dan retensi data.